Микропроцессоры и микроконтроллеры

 
 
 
«Всегда пишите код так, будто сопровождать его будет склонный к насилию психопат, который знает, где вы живете.»
Martin Golding
Русский | Українська


Микропроцессоры и микроконтроллеры :: Статьи :: Прецизионные усилители с напряжением питания 36 В

Прецизионные усилители с напряжением питания 36 В

Инновационная кремний-германиевая технология, разработанная компанией Texas Instruments, позволила начать производство новых прецизионных операционных усилителей с напряжением питания 36 В, Малошумящие, широкополосные и низкопотребляющие приборы найдут широкое применение в измерительной аппаратуре, аппаратуре управления, промышленной автоматике, медицинской технике и профессиональной аудиотехнике.

Компания Texas Instruments представила два новых прецизионных операционных усилителя, в которых сочетаются, в отличие от аналогичных усилителей с напряжением питания 36 В, сверхнизкий шум и низкое потребление, меньшие габаритные размеры корпусов и более широкая полоса частот. Микросхемы ОРА211 и ОРА827 делают возможным резкий рост производительности при применении в испытательном и измерительном оборудовании, средствах измерения, медицинском оборудовании, средствах отображения, аудиоаппаратуре и управлении производственным процессом. Это первые приборы, разработанные с применением инновационной BiCom3HV — комплементарной биполярной кремниево-германие-вой (SiGe) технологии для напряжения питания 36 В компании TI. (см, www.ti.com/sc06209.)

«Микросхемы ОРА211 и ОРА827 представляют новый класс прецизионных усилителей и свидетельствуют о приверженности компании TI рынку высоковольтных промышленных устройств», заявил Арт Джордж (Art George), старший вице-президент компании TI по высокоп-

роизводительным аналоговым направлениям. «Эти новые усилители обеспечивают крайне высокую точность, сочетающуюся со значительными улучшениями характеристик в части потребляемой мощности, полосы пропускания и габаритных размеров корпусов. Такая продукция выводит нас на новый уровень эффективности при применении в промышленных устройствах».

Микросхема ОРА211 представляет операционный усилитель с биполярными входами, уровень шумов которого составляет 1,1 нВ/^Гц, а полоса пропускания — 80 МГц при токе потребления всего 3,6 мА. Прибор обеспечивает напряжение смещения 100 мкВ, дрейф напряжения смещения 0,2 мкВ/°С и время установления 1 мкс при управлении прецизионными аналого-цифровыми преобразователями в системах сбора данных. Микросхема также обладает полным размахом выходного напряжения, что позволяет увеличить динамический диапазон.

Микросхема ОРА211 функционирует в диапазоне напряжения питания от ±2,25 В до ±18 В и поставляется в корпусах MSOP-8 или DFN-8. Корпус DFN с размерами 3x3 мм занимает примерно 1/3 площади стандартного корпуса SO-8. Операционные усилители со входами на биполярных транзисторах превосходят усилители других структур по погрешности, вызванной напряжением смещения, и применяются вместе с источниками сигналов с низким выходным сопротивлением.

Микросхема ОРА827 представляет операционный уси-

литель со входами на полевых транзисторах, сочетающий выдающуюся точность по постоянному току с превосходными характеристиками на переменном токе. Параметры по постоянному току включают уровень шумов 4,5 нВ/\\Тц, напряжение смещения 250 мкВ, дрейф напряжения смещения 1 мкВ/°С и динамический шум 400 нВ. Параметры по переменному току включают полосу пропускания 18 МГц, скорость нарастания 22 В/мкс и коэффициент гармонических искажений 0,0004% на частоте 1 кГц.

Микросхема ОРА827 функционирует в диапазоне напряжения питания от ±4 В до ±18 В при токе потребления всего 4,5 мА. Корпус MSOP-8 дает экономию площади 50% по сравнению с корпусами SO-8. Операционные усилители обеспечивают очень низкий ток смещения и применяются с источниками сигнала с высоким выходным сопротивлением.

Первая промышленная биполярная SiGe-технология для напряжения питания 36 В

ТехнологическийпроцессВЮотЗНУ компании TI объединяет современные производственные технологии для создания высоковольтных промышленных устройств. Технология обеспечивает высокие скорости и низкий шум, низкое потребление и намного меньший по габаритам корпус, чем ранее существующие. Уменьшение размеров транзисторов стало возможным благодаря технологии «кремний на изоляторе» (SOI). Самый маленький NPN-тран-зистор получается в 11 раз меньшим, чем созданный с помощью самых совершенных конкурирующих технологий.

Процесс BiCom3HV идеально подходит для следующего поколения операционных усилителей (с биполярными и полевыми входами), измерительных усилителей, усилителей с программируемым коэффициентом усиления и прецизионных источников опорного напряжения.