3.5. Схемотехнические особенности элементов ТТЛ
Все элементы в технологической группе транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) выполнены на основе биполярныхтранзисторов (n-p-n)–типа.
Стандартные значения сигналов для ТТЛ составляют:
· напряжение логического «0» –  (предельно до 0,8 В);
· напряжение логической «1» –  (предельно до 4,0 В);
· входной ток для логического «0» –  (встречный ток);
· входной ток для логической «1» –  ;
· коэффициент нагрузочной способности  для обычных ИС;
· соответственно выходные токи составляют  .
Напряжение питания для микросхем ТТЛ составляет  .
Недостаток обычных схем ТТЛ – ограничение по быстродействию за счет глубокого насыщения транзисторов. Это было преодолено на основе эффекта Шоттки (Sсhottky) путем внедрения тонкого металлического слоя в (p-n)-переход. При этом пороговое напряжение открывания перехода составило 0,2…0,3В (а не 0,7В). Быстродействие элементов ТТЛШ в 3…4 раза выше, чем обычных ТТЛ.
Таблица 4.4 Сравнительные параметры различных серий ТТЛ
|
Серия ТТЛ
|
Pпот, мВт,на один бит
|
tзд.р., нс,на один инвертор
|
|
Отечественная
|
Зарубежная (Texas Instruments)
|
|
К155
|
74 (стандартная)
|
10
|
10
|
|
К131
|
74H – High Power
|
22
|
6
|
|
К134
|
74L – Low Power
|
1
|
33
|
|
К555
|
74LS – Low Power with Schottky effect
|
2
|
9
|
|
К531
|
74S – with Schottky effect
|
19
|
3
|
|
К1533
|
74ALS – Advanced Low Power with Schottky effect
|
1,2
|
4
|
|
К1531
|
74F – Fast
|
4
|
3
|
|
