Микропроцессоры и микроконтроллеры

 
 
 
«Есть два способа создания дизайна программы. Один из них, это сделать его настолько простым, что в нем, очевидно, не будет недостатков. Другой способ — сделать его настолько запутанным, что в нем не будет очевидных недостатков.»
C.A. R. Hoare
Русский | Українська


Микропроцессоры и микроконтроллеры :: Микроконтроллерные вычислители :: 3.5. Схемотехнические особенности  элементов ТТЛ

3.5. Схемотехнические особенности  элементов ТТЛ

Все элементы в технологической группе транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) выполнены на основе биполярныхтранзисторов (n-p-n)–типа.

Стандартные значения сигналов для ТТЛ составляют:

·  напряжение логического «0» –  (предельно до 0,8 В);

·  напряжение логической «1» –  (предельно до 4,0 В);

·  входной ток для логического «0» –  (встречный ток);

·  входной ток для логической «1» – ;

·  коэффициент нагрузочной способности  для обычных ИС;

·  соответственно выходные токи составляют .

Напряжение питания для микросхем ТТЛ составляет .

Недостаток обычных схем ТТЛ – ограничение по быстродействию за счет глубокого насыщения транзисторов. Это было преодолено на основе эффекта Шоттки (Sсhottky) путем внедрения тонкого металлического слоя в (p-n)-переход. При этом пороговое напряжение открывания перехода составило 0,2…0,3В (а не 0,7В). Быстродействие элементов ТТЛШ в 3…4 раза выше, чем обычных ТТЛ.

Таблица 4.4 Сравнительные параметры различных серий ТТЛ

Серия ТТЛ

Pпот, мВт,на один бит

д.р., нс,на один инвертор

Отечественная

Зарубежная (Texas Instruments)

К155

74 (стандартная)

10

10

К131

74H – High Power

22

6

К134

74L – Low Power

1

33

К555

74LS – Low Power with Schottky effect

2

9

К531

74S – with Schottky effect

19

3

К1533

74ALS – Advanced Low Power with Schottky effect

1,2

4

К1531

74F – Fast

4

3