Новые прогрессивные микроконтроллеры с высокоскоростным USB-портом.Продолжение
Области применения:
• Портативные устройства с батарейным питанием;
• USB-устройства;
• Управление периферийными устройствами (считыватели смарт-карт, принтеры, сканеры и т.п.);
• Контрольно-измерительные приборы.
Из отчета о новых технологиях компании Web-Feet Research следует, что процесс обратимого изменения сопротивления, наблюдаемый в тонкой оксидной пленке, позволит создать новую форму энергонезависимой памяти, которая появится на рынке в этом году в качестве тестового продукта. Создатель полупроводниковых приборов — компания Tegal Corp. (Петалума, Калифорния), подготовившая оборудование для исследований, обещает высокую плотность, низкую стоимость и малое энергопотребление резистивной памяти (RRAM). С развитием этой технологии RRAM могут послужить заменой flash-памяти.
Хотя компании-разработчики пока опасаются создавать продукт на основе недостаточно разработанной технологии, размер рынка энергонезависимой памяти таков, что компании могут пойти на этот риск, так как новая технология может оказаться технологией следующего поколения и лидировать на рынке. Шум вокруг RRAM уже стимулировал дюжины патентных исследований только в Соединенных Штатах. Кроме этого начались многочисленные исследования свойств оксидных пленок для возможности включения в стандартные КМОП-процессы. Компании, которые в соответствии с обзором патентов США могут вести исследования RRAM — Sharp Corp., Sony Corp., Samsung Electronics Co. Ltd., LSI Logic Corp., Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. и Winbond Electronics Corp. Сотрудники компании Sharp совместно с исследователями из университета Шизуоки (University of Shizuoka) разработали прототип высокоскоростной памяти типа RRAM. Об этом говорилось в нескольких сообщениях со ссылкой на Nikkei Daily Business. В отчете говорится, что тесты показали возможность записи и чтения данных со скоростью в 1000 раз быстрее, чем в NAND flash-памяти.
Ячейки RRAM обычно являются двухполюсными устройствами, основанными на тонкой пленке материала оксид перовскита. Компания Samsung сообщила о разработке Solid-State Technology (технология твердого состояния), которая использована в устройстве памяти типа RRAM в 2005 году. Эта технология использует двойной оксид металла вместо перовскита. В отчете сказано об использовании оксида никеля (NiO).
|
