Новая система параметрического поиска и подбора дисплеев.Продолжение
УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ РЕСУРСА
Очевидно, что данный ресурс полезен как разработчикам, так и сотрудникам отделов снабжения.
Разработчик сможет получить «из одних рук» информацию, позволяющую:
• подобрать модель индикатора для новой разработки или для редизайна устройства;
• определить согласованный набор компонентов (комплексные решения на базе TFT-панелей).
При согласованном списке возможных замен информация на сайте позволит сотруднику отдела снабжения практически мгновенно определиться с «горячей» заменой.
ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ
Хочется отметить, что наш ресурс изначально создавался как постоянно развивающийся «живой» организм. Поэтому мы будем рады любым вашим замечаниям и пожеланиям по его развитию. Наш адрес: LCD@compel.ru.
Компания Shimei Semiconductor сообщает о разработке технологии производства коротковолновых («синих») полупроводниковых светодио-дов (LED), позволяющую создавать их на кремниевых подложках. Это довольно важная технология для отрасли, так как одной из причин, по которой «война форматов» между HD DVD и Blu-Ray не развернулась в полной мере этой осенью, стала нехватка полупроводниковых лазерных диодов для соответствующих длин волн. Shimei обещает, что технология будет коммерчески доступна в апреле будущего года. Стоит отметить, что сами коротковолновые светодиоды выполнены не из кремния, а из нитрида галлия. В то же время, использование кремниевых подложек (вместо сапфировых, как это делается сейчас) позволяет снизить стоимость и упростить структуру, наряду с увеличением времени жизни и возможностью интеграции в кремниевые ИС. Однако, наряду с преимуществами, у такой технологии, несомненно, будут и недостатки — можно предпо-
ложить, что энергопотребление нит-рид-галлиевого диода на кремниевой подложке будет выше, чем у аналогичного устройства на сапфире. Прототип диода Shimei излучает на длине волны 450 нм и обеспечивает мощность 10 мВт. Устройство состоит из нескольких слоев — на нижнем расположен катод и кремниевая подложка, на верхнем — излучающий слой (р-n переход) и анод. Для того, чтобы увеличить эффективность, на кремниевый слой нанесено отражающее покрытие.
Как утверждает источник, попытки создать коротковолновой диод на кремниевой подложке, предпринятые многими до Shimei, завершились неудачно из-за неподходящей ширины запретной зоны. Shimei удалось решить эту проблему путем нанесения буферных слоев, однако подробности этой технологии остаются в тайне. Сейчас компания работает над «доработкой» технологии, позволяющей создавать лазерные светодиды, а также над диодами, излучающими на больших длинах волн — соответствующих зеленому и красному цветам.
Источник: www. ixbt.com
Компания NXP Semiconductors заявила о начале массовых поставок ультратонких ИС (интегральных схем) для smart-карт. По толщине они меньше диаметра сечения человеческого волоса. Новые чипы NXP семейства SmartMX, специально предназначенные для smart-карт, имеют толщину менее 75 мкм, что в 2 раза меньше, чем стандартные чипы, выпускаемые в настоящее время. Благодаря своей миниатюрности новые чипы позволяют принимать более гибкие дизайнерские решения и обеспечивать большую защищенность от факторов внешней среды. Новые 75-мкм подложки будут внедрены в бесконтактные корпуса кристаллов ИС МОВ6, которые используются в ePassports, eVisas и других электронных документах. Имея толщину всего 260 мкм, МОВ6 на 20% тоньше, чем представленные на рынке продукты других производителей.
|
